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入门#欧姆定律#焦耳定律#VIR#功耗#基础

欧姆定律与焦耳定律 Ohm's Law & Joule Heating ​

在电压、电流、电阻与功率里,四个量是分开定义的:电压是两点势差,电流是电荷流量,电阻是阻碍,功率是能量转移速率。本章把它们连起来,回答工程上被问得最多的两个问题:给定电压和电阻,电流多大?给定电流和电阻,发热多少?

前一个问题的答案是欧姆定律,后一个问题的答案是焦耳定律。所有限流电阻、分压网络、电流采样、保险丝、导线线径、MOS 管导通损耗,都是这两个式子的反复应用。本章的主线是:先讲局部(一个电阻),再讲全电路(含电源内阻),再讲非线性(二极管、LED、灯丝),最后把公式放回真实导线、接触电阻和温度里,用一个完整的采样电阻设计收尾。

1. 设计动机 ​

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场景一:LED 直接接 5V。 LED 不是电阻,它的正向压降在导通后几乎不变,电流由外部限流决定。5V 直接加在红光 LED 上,电流只受电源内阻、导线电阻和 LED 动态电阻限制,很容易冲到几百 mA,瞬间烧毁。正确做法是串一只限流电阻,让电阻承担 5-V_F 的压差。

场景二:三极管基极直接接 3.3V GPIO。 BJT 的基极-发射极也是一个 PN 结,导通后压降约 0.7V;没有基极电阻,基极电流会大到把 GPIO 或三极管烧掉。基极电阻的算法,就是欧姆定律。

场景三:电流采样。 要测 0~2A 的负载电流,常用一只 25mΩ 的采样电阻,把电流转换成 50mV 电压。它满量程耗散 2^2\times0.025=0.1 W,看起来很小,但采样电阻的温漂、焊接电阻、走线电阻都会直接影响测量精度。

这三个场景的共同点是:电路拓扑可能完全正确,但电流、压降、功耗没有算,器件就会在"看起来很正常"的电压下烧掉。 5V 常被当成"安全电压",但 5V 加在 10Ω 上就是 0.5A、2.5W;加在 0.05Ω 的接触电阻上,理论上会试图流过 100A、耗散 500W。决定破坏力的是电流和功率,不是电压数值本身。

欧姆定律和焦耳定律之所以是"第一定律",是因为它们把电路从"接对了没有"推进到"能不能长期工作"。接对只是功能正确;算过电流、压降、功耗,才是工程正确。

你想解决先算判据
LED 亮度不对/烧毁I=(V_{CC}-V_F)/RI 不超过 LED 额定电流
电阻发烫/开路P=I^2R 或 P=V^2/RP 不超过降额后的额定功率
导线/连接器发热V=IR、P=I^2R压降在允许范围,温升在载流曲线内
电池带载掉压I=E/(R+r)端电压不低于负载最低工作电压
采样电阻精度不够V=IR、P=I^2R功耗、温漂、走线电阻都在误差预算内

2. 定义与直观 ​

2.1 欧姆定律的三种写法 ​

对一只线性电阻,电压、电流、电阻满足:

V=IR\qquad\Longleftrightarrow\qquad I=\frac{V}{R}\qquad\Longleftrightarrow\qquad R=\frac{V}{I}

其中 V 是电阻两端的电压,单位伏特(V);I 是流过电阻的电流,单位安培(A);R 是电阻,单位欧姆(\Omega)。三个式子是同一个关系的三种代数变形,不是三条独立的定律。

直觉上:电压是推动力,电阻是阻碍,电流是结果。 同样电压下电阻翻倍,电流减半;同样电阻下电压翻倍,电流翻倍。把电压想成水管两端的水压差、电阻想成阀门开度,就得到 I=V/R 的水路版本:阀门关小一半,同样水压下流量减半。这个类比的边界是:水管流量有惯性,电流几乎瞬间建立;且水管里的"阻力"随流量非线性变化,而理想电阻的 R 是常数。

测量欧姆定律的标准接法:电流表 A 串在回路里测 I,电压表 V 并在电阻两端测 V,改变电源 Vs 可验证 V/I 是否为常数
测量欧姆定律的标准接法:电流表 A 串在回路里测 I,电压表 V 并在电阻两端测 V,改变电源 Vs 可验证 V/I 是否为常数

用的时候必须满足两个前提:

  1. V 和 I 属于同一个元件。 不能把电源电压当成某个串联电阻两端的电压;串联电路里电源电压被多个元件分掉,电阻上只分到其中一部分。
  2. V 和 I 取关联参考方向。 电流从电压的 + 端流入时,V=IR 取正号;如果电流从 + 端流出,公式要写成 V=-IR,或者把电流取负。符号错了,算出来的功率正负也会错。

欧姆定律的实质不是"电压等于电流乘电阻"这句同义反复,而是断言:在恒定温度、恒定材料和几何尺寸下,流过导体的电流与两端电压成正比,比值 R 是常数。 这个"成正比"是需要实验验证的物理规律,不是数学定义。对大多数金属和碳膜电阻,在正常工作范围内它成立得很好;对二极管、LED、灯丝、热敏电阻,它不成立。

从场的角度看,欧姆定律的局部形式是

\mathbf{J}=\sigma\mathbf{E}

其中 \mathbf{J} 是电流密度,单位 \text{A/m}^2;\sigma 是电导率,单位 \text{S/m};\mathbf{E} 是电场强度,单位 \text{V/m}。这个式子说明"电流密度正比于电场",比 V=IR 更基本。把 \mathbf{J} 沿截面积分、\mathbf{E} 沿长度积分,就得到 I=V/R,再整理成 V=IR。集总电路里我们直接用 V=IR,不需要每次都回到场论。

电阻的几何来源是

R=\rho\frac{L}{A}

其中 \rho 是电阻率,单位 \Omega\cdot\text{m};L 是导体长度,单位 m;A 是截面积,单位 \text{m}^2。这个式子解释了为什么细线比粗线热、长线比短线压降大:长度加倍,电阻加倍;截面积加倍,电阻减半。

2.2 线性与非线性:欧姆定律对谁成立 ​

把一只元件的电压作横轴、电流作纵轴,画出的曲线叫伏安特性(V-I characteristic)。欧姆定律成立的条件,就是这条曲线是一条过原点的直线:电压加倍,电流也加倍,比值 V/I 处处相同。

线性电阻、二极管与灯丝的伏安特性示意:线性电阻是过原点的直线;二极管指数弯曲;灯丝因温度升高而向下弯
线性电阻、二极管与灯丝的伏安特性示意:线性电阻是过原点的直线;二极管指数弯曲;灯丝因温度升高而向下弯

三类典型形状:

  • 线性电阻:金属膜、碳膜、绕线电阻在额定范围内近似直线,斜率是 1/R。R 不随电压、电流变(理想情况下)。
  • 二极管/LED:正向导通后电流随电压指数上升,曲线非常陡。电压稍微增加,电流可能成倍增加;V/I 不是常数,不能拿一个"额定电阻"套。
  • 灯丝/热敏电阻:电流让温度升高,温度又改变电阻。灯丝是正温度系数(越热电阻越大),曲线向下弯;NTC 热敏电阻是负温度系数(越热电阻越小),曲线向上翘。两者都不是欧姆元件。

对非线性器件,欧姆定律并没有"完全失效",而是不能再用一个常数 R。工程上有两种用法:

  1. 静态电阻 R_{\text{static}}=V/I:工作点上的电压除以电流,用来估算该点的等效损耗,但换个工作点就变。
  2. 动态电阻 r_{\text{dyn}}=dV/dI:工作点附近电压微小变化与电流微小变化的比值,用于小信号模型。二极管的小信号电阻约 nV_T/I,其中 V_T=kT/q 是热电压;取 T=300 K、k=1.380649\times10^{-23} J/K、q=1.602176634\times10^{-19} C,得 V_T=1.380649\times10^{-23}\times300/(1.602176634\times10^{-19})\approx25.85 mV,常取 25.9mV。

焦耳定律 P=VI 对非线性器件仍然成立;P=I^2R 只在"R 取该工作点的等效电阻"时成立。把 LED 的 V_F/I 当成常数电阻去算别的电流,是典型的错误。

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理想二极管方程写成 I=I_S(e^{V/(nV_T)}-1),其中 I_S 是反向饱和电流,n 是理想因子(通常 1~2),V_T=kT/q\approx25.9 mV(室温)。在导通区,电流近似按指数变化。取 n=2,电压增加 100mV,电流变为原来的

\frac{I_2}{I_1}=e^{100\text{mV}/(2\times25.9\text{mV})}=e^{1.93}\approx6.9

倍。也就是说,LED 两端电压只多了 0.1V,电流就可能涨近 7 倍。这就是"恒压源直接驱动 LED 很危险"的定量原因:电源电压的小波动、LED 温度的小变化,都会造成电流的大波动。实际 LED 还有串联体电阻,会稍微缓和这个指数,但趋势不变。具体数值以器件数据手册的 V-I 曲线为准。

2.3 全电路欧姆定律:电源也有内阻 ​

前面的 V=IR 描述的是一个电阻。真实电源(电池、适配器、信号源)内部也有电阻,叫内阻 r。把电源的电动势记为 E,外接负载记为 R,整个回路满足:

E=I(R+r)\qquad\Longrightarrow\qquad I=\frac{E}{R+r}

负载两端的端电压是

V_{\text{terminal}}=E-Ir

其中 E 是电动势,单位 V;r 是内阻,单位 \Omega;R 是负载电阻,单位 \Omega;I 是回路电流,单位 A。

举个完整例子:一只 9V 电池,内阻按 1.5Ω 估算(典型量级,具体以数据手册为准),接 100Ω 负载。

I=\frac{9}{100+1.5}=\frac{9}{101.5}\approx0.08867\ \text{A}=88.67\ \text{mA}V_{\text{terminal}}=9-0.08867\times1.5=9-0.133=8.867\ \text{V}

负载功率:

P_{\text{load}}=I^2R=0.08867^2\times100\approx0.786\ \text{W}

内阻损耗:

P_r=I^2r=0.08867^2\times1.5\approx0.0118\ \text{W}=11.8\ \text{mW}

效率:

\eta=\frac{P_{\text{load}}}{EI}=\frac{0.786}{9\times0.08867}\approx98.5\%

如果把这节电池短路,R=0,电流将是 I_{sc}=E/r=9/1.5=6 A。实际电池和电源都有保护,不能真的短接;这个数字只用来说明"内阻决定了短路电流的上限"。

全电路欧姆定律解释了很多"电压够但带不动"的现象:电池旧了,内阻变大,空载电压可能还是 9V,一接负载端电压就掉;汽车启动时电池电压瞬间跌到 10V 以下,也是因为启动电流在內阻上产生了大压降。看电源不能只看空载电压,还要看内阻和带载能力。

2.4 焦耳定律:电流怎样变成热 ​

电流流过电阻,电场力做功,电能转化为热。功率就是前面定义的 P=VI。把欧姆定律代进去,得到焦耳定律的三种常用形式:

P=VI=I^2R=\frac{V^2}{R}

其中 P 是功率,单位 W;V 是电阻两端电压,单位 V;I 是流过电阻的电流,单位 A;R 是电阻,单位 \Omega。t 秒内产生的热量是

Q=I^2Rt

其中 Q 是热量,单位 J;t 是时间,单位 s。能量形式就是 E=Pt=I^2Rt。

推导只有两步:

  • 由 V=IR,代入 P=VI 得 P=(IR)I=I^2R;
  • 由 I=V/R,代入 P=VI 得 P=V(V/R)=V^2/R。

三个形式在数学上等价,但工程上各有适用场景:串联电路电流相同,用 P=I^2R 方便;并联电路电压相同,用 P=V^2/R 方便;已知电压和电流,直接用 P=VI。

焦耳定律解释了三个常见现象:

  • 导线太细会发烫:R=\rho L/A,截面积小则 R 大;同样的电流下 P=I^2R 更大。
  • 电阻有额定功率:长期耗散的热必须通过封装、焊盘、PCB 铜箔传到环境;散热跟不上,温度就超限。
  • 保险丝会烧断:保险丝是故意设计的小截面导体,电流超过额定后 I^2R 加热到熔点,切断回路。烧断是它的功能,不是"质量不好"。

对非线性器件,P=VI 仍然成立;P=I^2R 和 P=V^2/R 只在 R 取工作点等效电阻时成立。对随时间变化的电压/电流,瞬时功率是 p(t)=v(t)i(t),平均功率要对一个周期积分,不能简单拿峰值相乘。

3. 定量关系 ​

3.1 公式、符号与单位 ​

把本章的公式集中列出,并写清适用条件:

公式已知求适用条件
V=IRI,RV欧姆元件,关联参考方向,恒温
I=V/RV,RI同上
R=V/IV,IR静态电阻定义,可用于非线性工作点
P=VIV,IP任何二端元件的瞬时功率
P=I^2RI,RPR 为工作点等效电阻
P=V^2/RV,RP同上
Q=I^2RtI,R,tQR 在时间内近似不变
R=\rho L/A\rho,L,AR均匀截面导体
R(T)=R_{20}[1+\alpha(T-20)]R_{20},\alpha,TR(T)线性温度系数近似
E=I(R+r)E,R,rI含内阻的电源回路

符号与单位:

  • V:电压,V;I:电流,A;R:电阻,\Omega;
  • P:功率,W;Q:热量,J;t:时间,s;
  • \rho:电阻率,\Omega\cdot\text{m};L:长度,m;A:截面积,\text{m}^2;
  • R_{20}:20°C 时的电阻,\Omega;\alpha:电阻温度系数,1/^{\circ}\text{C};
  • E:电源电动势,V;r:电源内阻,\Omega。

这里的 R=V/I 与 V=IR 要区分:前者是定义,对任何二端元件都成立,算出来的是工作点的静态电阻;后者是定律,只对欧姆元件成立,断言 R 不随工作点变。把定义当成定律,就会得出"LED 的电阻是 180Ω,所以加 5V 会流过 27.8mA"这类错误结论——实际电流由 LED 的 V-I 曲线和限流元件共同决定。

3.2 三个功率公式怎么选 ​

场景相同的量推荐公式结论
串联电流 IP=I^2R电阻越大,发热越多
并联电压 VP=V^2/R电阻越小,发热越多
已知 V,I两者都已知P=VI直接相乘
已知 P,R—I=\sqrt{P/R} 或 V=\sqrt{PR}反推工作点

串联时电流处处相同,所以 P 与 R 成正比:大电阻更热。并联时电压相同,所以 P 与 R 成反比:小电阻更热。这个结论和直觉相反的地方在于,"电阻大"不等于"功率大",要看接法。

用一个具体例子把这件事钉死:一只 100Ω 和一只 10Ω 电阻。

串联,电流 1A:

P_{100}=1^2\times100=100\ \text{W},\qquad P_{10}=1^2\times10=10\ \text{W}

100Ω 发热是 10Ω 的 10 倍;总功率 110W,总电压 1\times(100+10)=110 V。

并联,电压 10V:

P_{100}=\frac{10^2}{100}=1\ \text{W},\qquad P_{10}=\frac{10^2}{10}=10\ \text{W}

这次 10Ω 发热是 100Ω 的 10 倍;总功率 11W,总电流 10/100+10/10=0.1+1=1.1 A。

同一只 100Ω 电阻,在串联 1A 的例子里耗散 100W,在并联 10V 的例子里只耗散 1W。电阻没变,工作点变了。所以"这颗电阻多少瓦"必须结合电路来问;脱离电路的功率数字没有意义。

3.3 电阻的几何与温度 ​

电阻的几何公式已经在 2.1 节给出:

R=\rho\frac{L}{A}

温度对电阻的影响,在一段范围内可以线性近似:

R(T)=R_{20}\left[1+\alpha(T-20)\right]

其中 R_{20} 是 20°C 时的电阻,\alpha 是电阻温度系数(单位 1/^{\circ}\text{C}),T 是温度(°C)。铜的 \alpha\approx0.00393\ ^{\circ}\text{C}^{-1},也就是每升高 1°C,电阻增加约 0.393%。

一根 20°C 时 1Ω 的铜导体,升温到 80°C:

R_{80}=1\times[1+0.00393\times(80-20)] =1\times(1+0.2358)=1.236\ \Omega

增加了 23.6%。如果它两端维持 5V,电流会从 5A 降到 5/1.236=4.045 A,降了约 19%。铜导线、电机绕组、继电器线圈都有这种"越热电阻越大、电流越小"的正温度系数。

精密电阻的温漂用 ppm/°C 表示。100\ \text{ppm}/^{\circ}\text{C}=100\times10^{-6}\ /^{\circ}\text{C}=0.01\%/^{\circ}\text{C}。一只 100Ω、100ppm/°C 的电阻,温度从 25°C 升到 85°C(升高 60°C):

\Delta R=100\times100\times10^{-6}\times60=0.6\ \Omega

相对变化 0.6/100=0.6\%。常见厚膜电阻的 TCR 约 100~200ppm/°C,金属膜约 50ppm/°C,精密箔电阻可以做到 1ppm/°C 以下;具体以数据手册为准。对比一下:同样升温 60°C,铜导线变化 23.6%,厚膜电阻只变化 0.6%~1.2%,相差约 20~40 倍。所以"导线电阻"和"电阻器电阻"对温度的敏感度完全不是一个量级。

自热会让问题复杂化:电流产生热,热让温度升高,温度又改变电阻。如果 TCR 为正,电阻变大、电流变小,是负反馈;如果 TCR 为负(NTC),电阻变小、电流变大,可能形成正反馈甚至热失控。设计 NTC 测温、PTC 自恢复保险丝、灯丝限流时,必须把这条反馈路径算进去。

3.4 适用条件与失效边界 ​

欧姆定律的适用条件可以总结为四个"恒定":

  1. 材料与几何恒定:均匀导体、固定截面积;接触面积变化、导线断裂、焊点开裂都会让 R 变。
  2. 温度恒定:TCR 不为零时,R 随温度变;大电流自热会破坏恒温假设。
  3. 线性工作区:V-I 曲线过原点且是直线;二极管、LED、灯丝、热敏电阻、压敏电阻不满足。
  4. 集总近似:元件尺寸远小于波长;高频下电压、电流沿导线分布,V=IR 的集总形式不够用。

焦耳定律的适用条件更宽:P=VI 对任何二端元件都成立,包括非线性器件、电源、甚至瞬时变化的信号;P=I^2R 和 P=V^2/R 需要 R 的定义,对非线性器件要用工作点等效电阻,对时变电阻要在时间上积分。

工程上还有几个容易忽略的边界:

  • 电压额定值独立于欧姆定律。 电阻的最大工作电压、电容的耐压、绝缘的击穿电压,都不是 V=IR 能算出来的;它们是材料和结构决定的极限。
  • 脉冲功率与平均功率不同。 一只电阻能承受的短脉冲功率可能远高于连续额定功率,也可能因为局部热点而更低;必须查数据手册的脉冲功率曲线,不能拿平均功率代替峰值。
  • 接触电阻不是常数。 连接器触点的接触电阻随压力、氧化、磨损、电流变化;mΩ 级接触电阻在大电流下会产生可观的压降和热。
  • 高频下电阻不再是"电阻"。 寄生电感和电容会让阻抗随频率变,此时要用 Z=R+j\omega L+1/(j\omega C) 描述,欧姆定律的直流形式只是低频近似。

4. 典型计算 ​

4.1 算例一:LED 限流电阻 ​

需求:5V 电源点亮一颗红光 LED,LED 正向压降按 1.8V 计(典型值,具体以数据手册为准),目标电流 10mA。求限流电阻、实际电流、电阻功耗,并验算。

第一步,算电阻上的压降。LED 与电阻串联,电源电压被两者分掉:

V_R=V_{CC}-V_F=5-1.8=3.2\ \text{V}

第二步,算电阻:

R=\frac{V_R}{I}=\frac{3.2}{0.01}=320\ \Omega

E24 系列里没有 320Ω,取邻近的 330Ω(IEC 60063 的 E24 标称值)。

第三步,用实际阻值反算电流:

I=\frac{3.2}{330}\approx0.009697\ \text{A}=9.697\ \text{mA}

比目标 10mA 低 3%,肉眼几乎看不出差别。

第四步,算电阻功耗:

P_R=I^2R=0.009697^2\times330\approx0.0310\ \text{W}=31.0\ \text{mW}

0603 电阻额定 0.1W,占比 0.031/0.1=31\%,低于 50% 的降额目标,合适。0402 电阻额定约 0.0625W,占比 0.031/0.0625\approx49.6\%,已经接近降额上限,长期高温环境建议用 0603。

第五步,算 LED 功耗与总效率:

P_{\text{LED}}=V_F I=1.8\times0.009697\approx0.01745\ \text{W}=17.45\ \text{mW}

总功耗 31.0+17.45=48.45 mW,LED 占比 17.45/48.45\approx36\%。也就是说,5V 供电、1.8V LED、10mA 的方案,约 64% 的功率浪费在限流电阻上。

第六步,对比 9V 方案。同样 1.8V、10mA:

R=\frac{9-1.8}{0.01}=720\ \Omega\quad\longrightarrow\quad\text{取 }750\ \OmegaI=\frac{7.2}{750}=0.0096\ \text{A}=9.6\ \text{mA}P_R=0.0096^2\times750\approx0.0691\ \text{W}=69.1\ \text{mW}

0603 的 0.1W 已被占到 69%,超过 50% 降额目标,应换 0805(0.125W,占 55.3%)或更大。LED 自身仍只有 1.8\times0.0096=17.28 mW,效率 17.28/(69.1+17.28)\approx20\%。同样一颗 LED,9V 方案的限流电阻发热是 5V 方案的 2.2 倍,效率从 36% 掉到 20%。 这就是"高压小电流驱动 LED 不划算"的定量原因。

第七步,看错误做法。如果忘了扣 LED 压降,直接 R=5/0.01=500\ \Omega,实际电流是

I=\frac{5-1.8}{500}=0.0064\ \text{A}=6.4\ \text{mA}

LED 会明显偏暗。如果把 LED 直接接 5V、不加电阻,电流只受寄生参数限制,可能达到数百 mA,结温迅速升高,几秒内烧毁。

4.2 算例二:为什么 5V 小信号也会烧 ​

很多人觉得 5V 对人没有危险,就以为它对器件也安全。但对人安全不等于对器件安全。下面这张表固定电压 5V,只改变电阻:

电阻5V 下电流5V 下功率相对 0402 额定 0.0625W相对 0603 额定 0.1W
1MΩ5µA25µW0.04%0.025%
10kΩ0.5mA2.5mW4%2.5%
400Ω12.5mA62.5mW100%62.5%
100Ω50mA250mW4 倍2.5 倍
50Ω100mA500mW8 倍5 倍
20Ω250mA1.25W20 倍12.5 倍
10Ω500mA2.5W40 倍25 倍
1Ω5A25W400 倍250 倍
0.05Ω100A(理论)500W(理论)——

表里的功率都按 P=V^2/R 算:5^2/400=0.0625 W,5^2/100=0.25 W,5^2/10=2.5 W,5^2/0.05=500 W。电流按 I=V/R 算:5/10=0.5 A,5/0.05=100 A。

两个关键结论:

  • 0402 电阻在 5V 下,只要阻值小于 400Ω 就超过额定功率。 因为 R_{\min}=V^2/P=25/0.0625=400\ \Omega。0603 的临界值是 25/0.1=250\ \Omega。一颗 10Ω 的 0603 接在 5V 上,功率 2.5W,是额定的 25 倍,几秒钟就会发黄、冒烟。
  • 0.05Ω 的接触电阻接在 5V 上,理论上要流过 100A、耗散 500W。 实际电流会被电源内阻、线缆电阻、保护电路限制,但哪怕只到 10A,接触点上的 10^2\times0.05=5 W 也足以烧黑触点。

反过来,1MΩ 电阻接 5V 只有 5µA、25µW,连发热都感觉不到。所以"5V 会不会烧"这个问题没有统一答案,必须问:接在多小的电阻上?电源能提供多大电流? 低阻值、大电流、小封装,这三个条件凑在一起,5V 一样能烧。

4.3 算例三:导线与接触电阻 ​

需求:2 米长、0.5mm² 的铜导线,给 3A 负载供电。求导线电阻、压降、功耗;再算两个 20mΩ 接触电阻的影响。

导线电阻:

R=\rho\frac{L}{A}=1.68\times10^{-8}\times\frac{2}{0.5\times10^{-6}} =0.0672\ \Omega

3A 下压降:

V=IR=3\times0.0672=0.2016\ \text{V}

3A 下功耗:

P=I^2R=9\times0.0672=0.6048\ \text{W}

5A 下:压降 5\times0.0672=0.336 V,功耗 25\times0.0672=1.68 W。电流增加 67%,功耗增加 178%(因为 P\propto I^2)。

接触电阻:两个触点共 2\times0.02=0.04\ \Omega。

  • 3A:压降 3\times0.04=0.12 V,功耗 9\times0.04=0.36 W;
  • 5A:压降 0.2 V,功耗 25\times0.04=1 W;
  • 10A:压降 0.4 V,功耗 100\times0.04=4 W。

总影响(3A、2 米线、两个触点):

V_{\text{total}}=0.2016+0.12=0.3216\ \text{V}P_{\text{total}}=0.6048+0.36=0.9648\ \text{W}

在 5V 系统里,0.322V 是 6.4%;在 12V 系统里是 2.7%;在 24V 系统里是 1.3%。同样一根线,系统电压越低,线损占比越大。 这就是为什么 5V/2A 的 USB 充电线要粗、要短,而 24V/2A 的工业线可以细一些。

注意:0.96W 的总功耗并不直接等于某个温升。温升取决于导线截面积、绝缘、环境温度、连接器材料和散热条件。功耗是"发热量",温升是"散热结果",两者不能混为一谈。 大电流设计要查线缆/连接器的载流—温升曲线,不能只算功率。

4.4 算例四:完整设计——25mΩ 电流采样电阻 ​

这是一个从需求到验算的完整设计例子。

需求:

  • 测量 0~2A 的负载电流;
  • 满量程输出 50mV 给 ADC;
  • 负载供电 5V,最大 2A;
  • 环境温度最高 60°C;
  • 目标精度 1%(不含 ADC 自身误差);
  • PCB 空间允许 1206 封装。

第一步,算采样电阻:

R_{\text{shunt}}=\frac{V_{\text{FS}}}{I_{\text{FS}}}=\frac{0.05}{2}=0.025\ \Omega=25\ \text{m}\Omega

第二步,算功耗:

P_{2A}=I^2R=2^2\times0.025=0.1\ \text{W}P_{1A}=1^2\times0.025=0.025\ \text{W}=25\ \text{mW}

第三步,选封装并验算降额。1206 厚膜电阻额定 0.25W(典型值),2A 时占 0.1/0.25=40\%,低于 50% 降额目标,合适。60°C 低于常见的 70°C 降额拐点,不需要额外折减;如果环境升到 100°C,按 70~155°C 线性降额,允许功率为 0.25\times(155-100)/(155-70)\approx0.162 W,此时 0.1W 占 61.8%,余量变小,应换 2512(1W)或降低电流。

第四步,算负载压降(burden voltage):

V_{\text{burden}}=I_{\text{FS}}R=2\times0.025=0.05\ \text{V}=50\ \text{mV}

对 5V 负载,这是 1.0%;对 3.3V 负载,这是 0.05/3.3=1.52\%。如果负载对 3.3V 很敏感,50mV 的 burden 已经不可忽略,应改用更小的采样电阻(如 10mΩ、满量程 20mV),再加一级放大。

第五步,算温漂误差。假设采样电阻的 TCR 为 100ppm/°C,自热温升 50°C:

\frac{\Delta R}{R}=100\times10^{-6}\times50=0.005=0.5\%

满量程 2A 时对应 2\times0.005=0.01 A=10mA 的误差。这个误差是"增益误差"性质的,可以通过校准部分消除,但温漂会随温度变,校准只能在一个温度点做。

第六步,做误差预算。假设电阻初始精度 1%、TCR 引入 0.5%、ADC 增益误差 0.5%(假设值,实际以 ADC 数据手册为准),按均方根合成:

\varepsilon_{\text{RSS}}=\sqrt{1^2+0.5^2+0.5^2}\%=\sqrt{1.5}\%\approx1.22\%

最坏情况线性相加是 1+0.5+0.5=2\%。两者都超过 1% 的目标。要真正做到 1%,需要选 0.1% 的采样电阻、低 TCR(如 25ppm/°C)、并对 ADC 做增益校准;或者接受 1.5%~2% 的精度并放宽指标。

第七步,检查布局误差。如果 PCB 走线、焊锡、过孔在采样路径上额外引入 10mΩ,相对 25mΩ 就是 10/25=40\% 的误差——比电阻本身精度大得多。解决方法是开尔文接法(Kelvin / 4-wire):电流从电阻的两端大焊盘流入流出,电压检测从电阻内部的两个小焊盘引出,让测量路径不经过大电流走线。这是 mΩ 级采样电阻的标准做法。

第八步,验算工作点:

负载电流采样电压采样功耗
0.5A12.5mV6.25mW
1A25mV25mW
2A50mV100mW

三组都满足 V=IR 和 P=I^2R,且 2A 时功耗 0.1W,低于 1206 在 60°C 下的允许值。

结论:选 25mΩ、1%、0.25W、1206 封装的采样电阻,开尔文接法;5V/2A 下 burden 1%、功耗 40% 额定;若负载是 3.3V 或要求 1% 精度,改用 10mΩ + 放大,或选 0.1%、低 TCR 的型号并校准。

5. 工程含义 ​

5.1 工程数量级表 ​

对象典型量级说明
信号链路电阻1kΩ~1MΩ兼顾噪声、功耗与输入偏置
LED 限流电阻100Ω~10kΩ由 V_{CC}、V_F、目标电流决定
电流采样电阻1mΩ~1Ω大电流用 mΩ,小电流可用 Ω 级
上拉/下拉电阻1kΩ~100kΩ太大易受噪声,太小费电
铜导线电阻0.004~0.034Ω/m4mm²~0.5mm²,20°C
连接器接触电阻5~50mΩ/触点具体以连接器数据手册为准
PCB 铜箔(1oz)约 0.48mΩ/方块10 方块约 4.8mΩ
厚膜电阻 TCR100~200ppm/°C金属膜约 50ppm/°C
铜的 TCR约 3930ppm/°C即 0.393%/°C
贴片电阻额定功率0402 约 1/16W,0603 约 1/10W,0805 约 1/8W,1206 约 1/4W典型值,以数据手册为准

这张表的作用是"先估数量级,再精算"。看到 10A 的电流,就知道 mΩ 级采样电阻、粗导线、大电流连接器是必需项;看到 1µA 的偏置电流,就知道 MΩ 级电阻上的压降不能忽略。

5.2 选型与降额 ​

选电阻不只看阻值,至少要看五个参数:阻值、精度、额定功率、TCR、最大工作电压。

  • 功率:长期工作按额定的 50%~70% 降额;高温、密闭、无铜箔散热时更保守。脉冲/浪涌要查脉冲功率曲线,不能拿连续额定值套。
  • 精度:1% 是通用值,0.1% 用于采样、电桥、精密分压;精度和 TCR 要一起看,1% 电阻配 200ppm/°C 的 TCR,在 60°C 温升下可能再引入 1.2% 误差。
  • TCR:精密应用选 25ppm/°C 或更低;普通限流、上拉可以放宽。
  • 最大工作电压:电阻不仅有功率上限,还有电压上限;高压场合即使功率没超,电压也可能超。
  • 封装与散热:同样 0.1W,0402 的散热面积远小于 1206;高温环境优先大封装。

导线和连接器的选型逻辑不同:它们没有"阻值"可选,只有截面积、材料、镀层、接触结构。选型的核心是载流—温升曲线,而不是欧姆定律算出来的电阻。欧姆定律帮你算压降和功耗,温升还要看散热。

5.3 温度与漂移 ​

温度对电路的影响有三条路径:

  1. 电阻值漂移:R(T)=R_{20}[1+\alpha(T-20)]。铜的 23.6%/60°C 远大于精密电阻的 0.6%/60°C;导线、绕组、继电器线圈的漂移往往被低估。
  2. 器件工作点漂移:LED 的 V_F 随温度下降(约 -2mV/°C 量级,具体看器件),恒压驱动时电流会随温度上升;二极管、三极管、基准源都有温度系数。
  3. 热失控风险:NTC、灯丝、某些陶瓷电容在某些条件下电阻随温度下降,电流增大又让温度更高,形成正反馈。设计时要保证在最坏温度下仍有足够的限流或保护。

工程做法是按最高工作温度算最坏情况:用 R(T_{\max}) 而不是 25°C 的标称值,用 V_F(T_{\max}) 而不是室温典型值,用降额后的额定功率而不是标称功率。数据手册里的典型值只是"典型",设计要按最大/最小值。

5.4 什么时候欧姆定律不够用 ​

  • 非线性器件:二极管、LED、BJT、MOSFET 的沟道、电池、灯丝、热敏电阻、压敏电阻。用数据手册的 V-I 曲线、分段线性模型或小信号模型,不要用一个常数 R。
  • 高频:电阻的寄生电感/电容、导线的分布参数变得重要,要用阻抗 Z 和传输线模型;见阻抗与导纳。
  • 高压:击穿、爬电距离、绝缘等级由材料和结构决定,不是 V=IR 能预测的;见安全用电与触电防护。
  • 大电流/高温:接触电阻、熔断、热失控、材料软化都会让"常数 R"失效;要按载流—温升曲线和热模型设计。
  • 脉冲/瞬态:峰值功率、能量、脉冲宽度共同决定是否损坏;平均功率相同,脉冲形状不同,失效模式也不同。

欧姆定律是局部、线性、集总、恒温的近似。焦耳定律更普遍:P=VI 对任何元件都成立;P=I^2R 需要 R 的定义。工程判断的关键,是知道自己正在用哪个近似、它什么时候会失效。

6. 常见坑 ​

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  • 忘了扣掉 LED/二极管的正向压降:现象——按 R=V_{CC}/I 算出的电阻装上后,LED 明显偏暗;或者换一颗 LED 就烧。原因——LED 自身有 V_F,限流电阻上的电压是 V_{CC}-V_F,不是 V_{CC}。解决——先算 V_R=V_{CC}-V_F,再 R=V_R/I;用实际阻值反算电流,并核对 LED 的额定电流与功耗。
  • 用电源电压代入 P=V^2/R 算串联电阻:现象——算出的电阻功率偏大很多,选了过大封装;或者反过来,用电阻两端电压算错。原因——V 必须是该电阻两端的电压;串联电路里电源电压被多个元件分掉。解决——先求电阻上的压降,再代 P=V^2/R;或者用 P=I^2R,因为串联电流处处相同。
  • 认为"电阻越大越热"或"电阻越小越热":现象——并联时小电阻更热,串联时大电阻更热,和直觉对不上。原因——功率取决于工作点:串联电流相同,P=I^2R 与 R 成正比;并联电压相同,P=V^2/R 与 R 成反比。解决——先判断串联还是并联,再选公式;不确定就回到 P=VI,分别算每个电阻的 V 和 I。
  • 忽略导线和接触电阻:现象——5V/2A 的设备末端只有 4.5V,或者连接器摸着发烫。原因——导线电阻、触点电阻与负载串联,产生 IR 压降和 I^2R 发热;低压大电流系统尤其敏感。解决——算回路电阻(去线+回线+触点),核对压降占比和温升;大电流用粗线、短路径、低接触电阻连接器。
  • 把欧姆定律直接套在二极管、LED、电池上:现象——用 R=V/I 算出"LED 电阻 180Ω",再算 5V 下电流 27.8mA,实际完全不对。原因——这些器件的 V-I 曲线非线性,V/I 随工作点变,不是一个常数。解决——用数据手册的 V-I 曲线、V_F 与额定电流、分段模型或小信号模型;焦耳定律仍可用 P=VI,但 P=I^2R 要用工作点等效电阻。
  • 电阻功率不降额:现象——0603 电阻长期工作在 0.1W,几个月后发黄、阻值漂移甚至开路。原因——额定功率是特定温度下的上限,实际环境温度、铜箔散热、密闭壳体都会降低有效额定值。解决——按降额曲线把实际功耗压到额定的 50%~70% 以下;高温或密闭环境换 0805/1206,或并联分摊。
  • 把电阻开路和短路搞反:现象——测到回路电流为 0,以为电阻"变小了";或者电阻两端电压为 0,以为电阻"断了"。原因——电阻烧断后是开路(R\to\infty,电流为 0,两端可能仍有电压);焊锡/碎屑搭桥才是短路(R\approx0,电流暴涨,两端电压接近 0)。解决——断电后用电阻档离线测:开路读数 OL/无穷大,短路读数接近 0;再结合通电时的电压、电流交叉判断,不要只看一个读数。

7. 自测题 ​

5V 加在 100Ω 电阻上,电流和功率各是多少?改加 20V 呢?功率差多少倍?

5V 时:I=V/R=5/100=0.05 A=50mA;P=I^2R=0.05^2\times100=0.25 W;用 P=V^2/R=25/100=0.25 W 验算,一致。

20V 时:I=20/100=0.2 A=200mA;P=0.2^2\times100=4 W;用 P=400/100=4 W 验算,一致。

电压变为 4 倍,电流变为 4 倍,功率变为 4^2=16 倍(0.25\times16=4 W)。这说明功率对电压是平方关系,过压非常危险。

一只 9V 电池,内阻 1.5Ω,接 100Ω 负载。求回路电流、端电压、负载功率、内阻损耗和效率。

回路电流:I=E/(R+r)=9/(100+1.5)=9/101.5\approx0.08867 A=88.67mA。

端电压:V_t=E-Ir=9-0.08867\times1.5=9-0.133=8.867 V。

负载功率:P_{\text{load}}=I^2R=0.08867^2\times100\approx0.786 W。

内阻损耗:P_r=I^2r=0.08867^2\times1.5\approx0.0118 W=11.8mW。

效率:\eta=P_{\text{load}}/(EI)=0.786/(9\times0.08867)\approx98.5\%。

验算:P_{\text{load}}+P_r=0.786+0.0118=0.7978 W;EI=9\times0.08867=0.798 W,一致(舍入误差)。

用 5V 点亮一颗 V_F=2.0V、额定 20mA 的 LED,限流电阻取多大?电阻功耗多少?0603(0.1W)够不够?

电阻压降:V_R=5-2.0=3.0 V。

电阻:R=3.0/0.02=150\ \Omega(150Ω 是 E24 标称值)。

电阻功耗:P_R=I^2R=0.02^2\times150=0.06 W=60mW。

0603 额定 0.1W,占比 60/100=60\%,超过 50% 的降额目标,长期高温下不合适;建议换 0805(0.125W,占比 60/125=48\%)或更大。LED 自身功耗 2.0\times0.02=40 mW;总功耗 100mW,效率 40%。

一只 25mΩ 的采样电阻过 3A 电流,采样电压和功耗各是多少?选 0.5W 的 1206 封装,降额是否合适?

采样电压:V=IR=3\times0.025=0.075 V=75mV。

功耗:P=I^2R=9\times0.025=0.225 W=225mW。

0.5W 封装占比 0.225/0.5=45\%,低于 50% 降额目标,合适;如果用 0.25W 封装,占比 0.225/0.25=90\%,余量太小,不建议。注意 25mΩ 在 3A 下的 burden 是 75mV,对 3.3V 负载约占 2.3%,要核对负载的最低工作电压。

为什么 5V 也能烧电阻?请用 0603(0.1W)和 10Ω 电阻算一遍,并说明 0402(1/16W)在 5V 下的临界阻值。

10Ω、5V 下:I=5/10=0.5 A;P=V^2/R=25/10=2.5 W,或 P=I^2R=0.25\times10=2.5 W。

0603 额定 0.1W,2.5W 是额定的 25 倍,几秒内就会过热、发黄甚至烧毁。

0402 额定 0.0625W,5V 下的临界阻值 R_{\min}=V^2/P=25/0.0625=400\ \Omega;阻值小于 400Ω 就超额定。所以"5V 安全"只对人成立,对低阻值、小封装器件并不成立。

一只 100Ω、100ppm/°C 的电阻,温度从 25°C 升到 85°C,阻值变化多少?同样温升下,1Ω 的铜导线变化多少?两者说明什么?

电阻:\Delta R=100\times100\times10^{-6}\times(85-25)=100\times10^{-4}\times60=0.6\ \Omega,相对变化 0.6/100=0.6\%。

铜导线:\Delta R=1\times0.00393\times60=0.2358\ \Omega,相对变化 23.6%。

两者相差约 23.6/0.6\approx39 倍。说明铜导线、绕组、继电器线圈的温漂远大于精密电阻;设计大电流路径或精密测量时,不能把导线当成"恒定电阻",要按最高温度核算。

8. 参考资料 ​

  • Lessons In Electric Circuits, Volume I – DC(Kuphaldt):Chapter 2《Ohm's Law》讲 V、I、R 的关系、功率计算与非线性导电(Nonlinear conduction);本章的欧姆定律、焦耳定律与非线性讨论均按该章结构重写。
  • The Art of Electronics, 3rd ed.(Horowitz and Hill),Chapter 1《Foundations》:电阻类型、温度系数、功率额定与电源内阻的工程讲法;本章 TCR 与降额的数值口径参考该书。
  • Practical Electronics for Inventors, 4th ed.(Scherz and Monk),Chapter 2《Theory》:欧姆定律、焦耳定律、电池内阻与导线电阻的入门推导;本章全电路欧姆定律的讲法参考该书。
  • Vishay CRCW 系列厚膜贴片电阻数据手册:Power Derating 曲线(70°C 以上线性降额、155°C 降为零)与脉冲功率限制;本章 0.1W/0.25W 的降额算例按该曲线演示,具体型号以各自数据手册为准。
  • IEC 60063, Preferred number series for resistors and capacitors:E24/E96 标称值系列;本章 330Ω、750Ω 等取值按 E24 选取。
  • IPC-2152, Standard for Determining Current Carrying Capacity in Printed Board Design, 2009:PCB 铜箔载流—温升的计算依据;本章导线/铜箔部分只给数量级,实际走线宽度按该标准或制造商数据核对。